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RGT8NS65DGTL
Numéro de pièce：
RGT8NS65DGTL
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
ROHM Semiconductor
Description：
IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Emballage：
Cut Tape (CT)
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
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Quantité
Prix unitaire
Prix
1
2.03
2.03
10
1.29
12.9
100
0.87
87
500
0.7
350
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Active
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Puissance - Max
    65 W
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Boîtier
    TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    LPDS
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max)
    650 V
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max)
    8 A
  • 输入类型
    Standard
  • Temps de récupération inverse (trr)
    40 ns
  • Type d'IGBT
    Trench Field Stop
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 4A
  • Condition de test
    400V, 4A, 50Ohm, 15V
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm)
    12 A
  • Énergie de Commutation
    -
  • Charge de grille
    13.5 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    17ns/69ns
  • +86-755-82564498

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