Collections Comparaison
RGT80TS65DGC11
Numéro de pièce：
RGT80TS65DGC11
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
ROHM Semiconductor
Description：
IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N
Emballage：
Tube
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
PDF:
Acheter maintenant Ajouter au panier
En stock 1605
Le minimum : 1
Quantité
Prix unitaire
Prix
1
5.51
5.51
30
3.1
93
120
2.57
308.4
510
2.19
1116.9
1020
2.09
2131.8
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Not For New Designs
  • Type de montage
    Through Hole
  • Puissance - Max
    234 W
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Boîtier
    TO-247-3
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    TO-247N
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max)
    650 V
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max)
    70 A
  • 输入类型
    Standard
  • Temps de récupération inverse (trr)
    58 ns
  • Type d'IGBT
    Trench Field Stop
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 40A
  • Condition de test
    400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm)
    120 A
  • Énergie de Commutation
    -
  • Charge de grille
    79 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    34ns/119ns
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Quantité: {{ val.quantity }}

Soumettre

C'est vide