Collections Comparaison
NGW75T65H3DFQ
Numéro de pièce：
NGW75T65H3DFQ
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Nexperia USA Inc.
Description：
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Emballage：
Tube
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
PDF:
Acheter maintenant Ajouter au panier
En stock 2005
Le minimum : 1
Quantité
Prix unitaire
Prix
1
6.89
6.89
10
4.65
46.5
450
2.87
1291.5
900
2.81
2529
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Active
  • Grade
    -
  • Qualification
    -
  • Type de montage
    Through Hole
  • Puissance - Max
    600 W
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Boîtier
    TO-247-3
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    TO-247-3L
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max)
    650 V
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max)
    80 A
  • 输入类型
    Standard
  • Temps de récupération inverse (trr)
    165 ns
  • Type d'IGBT
    Trench Field Stop
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 75A
  • Condition de test
    400V, 75A, 10Ohm, 15V
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm)
    300 A
  • Énergie de Commutation
    2.9mJ (on), 1.1mJ (off)
  • Charge de grille
    160 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    29ns/170ns
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Quantité: {{ val.quantity }}

Soumettre

C'est vide