Collections Comparaison
GT60N321(Q)
Numéro de pièce：
GT60N321(Q)
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Toshiba Semiconductor and Storage
Description：
IGBT 1000V 60A TO-3P
Emballage：
Tube
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
RFQ Ajouter à la liste RFQ
En stock 1600
Veuillez envoyer une demande, nous vous répondrons immédiatement
Enquête rapide
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Obsolete
  • Type de montage
    Through Hole
  • Puissance - Max
    170 W
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Boîtier
    TO-3PL
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    TO-3P(LH)
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max)
    1000 V
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max)
    60 A
  • 输入类型
    Standard
  • Temps de récupération inverse (trr)
    2.5 µs
  • Type d'IGBT
    -
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • Condition de test
    -
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm)
    120 A
  • Énergie de Commutation
    -
  • Td (on/off) @ 25°C
    330ns/700ns
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Quantité: {{ val.quantity }}

Soumettre

C'est vide