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GT50JR22(STA1,E,S)
Numéro de pièce：
GT50JR22(STA1,E,S)
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Toshiba Semiconductor and Storage
Description：
IGBT 600V 50A TO-3P
Emballage：
Tube
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
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Quantité
Prix unitaire
Prix
1
6.54
6.54
25
3.84
96
100
3.2
320
500
2.73
1365
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Active
  • Type de montage
    Through Hole
  • Puissance - Max
    230 W
  • Température de fonctionnement
    175°C (TJ)
  • Boîtier
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    TO-3P(N)
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max)
    600 V
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max)
    50 A
  • 输入类型
    Standard
  • Type d'IGBT
    -
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 50A
  • Condition de test
    -
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm)
    100 A
  • Énergie de Commutation
    -
  • Td (on/off) @ 25°C
    -
  • +86-755-82564498

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