Collections Comparaison
GT40WR21,Q
Numéro de pièce：
GT40WR21,Q
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Toshiba Semiconductor and Storage
Description：
IGBT 1350V 40A TO-3P
Emballage：
Tray
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
PDF:
Acheter maintenant Ajouter au panier
En stock 1702
Le minimum : 1
Quantité
Prix unitaire
Prix
1
11.3
11.3
10
7.84
78.4
100
5.89
589
500
5.62
2810
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Active
  • Type de montage
    Through Hole
  • Puissance - Max
    375 W
  • Température de fonctionnement
    175°C (TJ)
  • Boîtier
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    TO-3P(N)
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max)
    1350 V
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max)
    40 A
  • 输入类型
    Standard
  • Type d'IGBT
    -
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    5.9V @ 15V, 40A
  • Condition de test
    -
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm)
    80 A
  • Énergie de Commutation
    -
  • Td (on/off) @ 25°C
    -
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Quantité: {{ val.quantity }}

Soumettre

C'est vide