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GT40RR21(STA1,E
Numéro de pièce：
GT40RR21(STA1,E
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Toshiba Semiconductor and Storage
Description：
IGBT 1200V 40A TO-3P
Emballage：
Tube
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
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Quantité
Prix unitaire
Prix
1
5.34
5.34
25
3.09
77.25
100
2.55
255
500
2.12
1060
1000
2.08
2080
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Active
  • Type de montage
    Through Hole
  • Puissance - Max
    230 W
  • Température de fonctionnement
    175°C (TJ)
  • Boîtier
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    TO-3P(N)
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max)
    1200 V
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max)
    40 A
  • 输入类型
    Standard
  • Temps de récupération inverse (trr)
    600 ns
  • Type d'IGBT
    -
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 40A
  • Condition de test
    280V, 40A, 10Ohm, 20V
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm)
    200 A
  • Énergie de Commutation
    -, 540µJ (off)
  • Td (on/off) @ 25°C
    -
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Quantité: {{ val.quantity }}

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