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GT30N135SRA,S1E
Numéro de pièce：
GT30N135SRA,S1E
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Toshiba Semiconductor and Storage
Description：
IGBT 1350V 60A TO-247
Emballage：
Tube
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
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Quantité
Prix unitaire
Prix
1
4.27
4.27
10
3.24
32.4
30
2.93
87.9
120
2.66
319.2
270
2.55
688.5
510
2.47
1259.7
1020
2.41
2458.2
2520
2.34
5896.8
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Active
  • Type de montage
    Through Hole
  • Puissance - Max
    348 W
  • Température de fonctionnement
    175°C (TJ)
  • Boîtier
    TO-247-3
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    TO-247
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max)
    1350 V
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max)
    60 A
  • 输入类型
    Standard
  • Type d'IGBT
    -
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    2.6V @ 15V, 60A
  • Condition de test
    300V, 60A, 39Ohm, 15V
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm)
    120 A
  • Énergie de Commutation
    -, 1.3mJ (off)
  • Charge de grille
    270 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    -
  • +86-755-82564498

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