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GT30J341,Q
Numéro de pièce：
GT30J341,Q
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Toshiba Semiconductor and Storage
Description：
IGBT 600V 59A TO-3P
Emballage：
Tray
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
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Prix
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Spécifications
  • Statut de la pièce
    Last Time Buy
  • Type de montage
    Through Hole
  • Puissance - Max
    230 W
  • Température de fonctionnement
    175°C (TJ)
  • Boîtier
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    TO-3P(N)
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max)
    600 V
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max)
    59 A
  • 输入类型
    Standard
  • Temps de récupération inverse (trr)
    50 ns
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 30A
  • Condition de test
    300V, 30A, 24Ohm, 15V
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm)
    120 A
  • Énergie de Commutation
    800µJ (on), 600µJ (off)
  • Td (on/off) @ 25°C
    80ns/280ns
  • +86-755-82564498

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