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GT30J121(Q)
Numéro de pièce：
GT30J121(Q)
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Toshiba Semiconductor and Storage
Description：
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Emballage：
Tube
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
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Quantité
Prix unitaire
Prix
1
4.24
4.24
10
2.79
27.9
100
1.97
197
500
1.62
810
1000
1.53
1530
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Active
  • Type de montage
    Through Hole
  • Puissance - Max
    170 W
  • Boîtier
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    TO-3P(N)
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max)
    600 V
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max)
    30 A
  • 输入类型
    Standard
  • Type d'IGBT
    -
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    2.45V @ 15V, 30A
  • Condition de test
    300V, 30A, 24Ohm, 15V
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm)
    60 A
  • Énergie de Commutation
    1mJ (on), 800µJ (off)
  • Td (on/off) @ 25°C
    90ns/300ns
  • +86-755-82564498

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