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GT20N135SRA,S1E
Numéro de pièce：
GT20N135SRA,S1E
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Toshiba Semiconductor and Storage
Description：
IGBT 1350V 40A TO-247
Emballage：
Tube
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
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Quantité
Prix unitaire
Prix
1
3.77
3.77
10
2.84
28.4
30
2.57
77.1
120
2.33
279.6
270
2.23
602.1
510
2.16
1101.6
1020
2.1
2142
2520
2.04
5140.8
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Active
  • Type de montage
    Through Hole
  • Puissance - Max
    312 W
  • Température de fonctionnement
    175°C (TJ)
  • Boîtier
    TO-247-3
  • Fournisseur Dispositif Emballage
    TO-247
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max)
    1350 V
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max)
    40 A
  • 输入类型
    Standard
  • Type d'IGBT
    -
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • Condition de test
    300V, 40A, 39Ohm, 15V
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm)
    80 A
  • Énergie de Commutation
    -, 700µJ (off)
  • Charge de grille
    185 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    -
  • +86-755-82564498

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