Collections Comparaison
APT50GT120B2RDLG
Numéro de pièce：
APT50GT120B2RDLG
Classification des produits：
Produits semi-conducteurs discrets
Fabricant：
Microsemi Corporation
Description：
IGBT NPT 1200V 106A
Emballage：
Tube
Statut ROHS：
Yes
La monnaie：
USD
Acheter maintenant Ajouter au panier
En stock 1608
Le minimum : 1
Quantité
Prix unitaire
Prix
1
18.97
18.97
Spécifications
  • Statut de la pièce
    Active
  • Type de montage
    Through Hole
  • Puissance - Max
    694 W
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Boîtier
    TO-247-3 Variant
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max)
    1200 V
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max)
    106 A
  • 输入类型
    Standard
  • Type d'IGBT
    NPT
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    3.7V @ 15V, 50A
  • Condition de test
    800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm)
    150 A
  • Énergie de Commutation
    3585µJ (on), 1910µJ (off)
  • Charge de grille
    240 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    23ns/215ns
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Quantité: {{ val.quantity }}

Soumettre

C'est vide